一種植入式多功能腦監(jiān)測器件，自上到下依次包括上封裝層、兩層壓力敏感薄膜、第一絕緣層、磁感線圈結(jié)構(gòu)、第二絕緣層、電極導(dǎo)通層和下封裝層；兩層壓力敏感薄膜之間為多層電極結(jié)構(gòu)；

微電極陣列穿過下封裝層與電極導(dǎo)通層連接。

微電極陣列制備：采用Mo金屬作為測量電極陣列與連接電極材料，并通過兩次磁控濺射法進(jìn)行分別制備。首先對第二絕緣層表面進(jìn)行旋涂光刻膠、采用留有電極點(diǎn)位的掩模版進(jìn)行曝光、顯影與離子刻蝕，采用磁控濺射法在絕緣層表面沉積一層厚度為50μm的Mo金屬薄膜，并去除多余的光刻膠，得到六個(gè)直徑為200μm的獨(dú)立測量電極位點(diǎn)。對所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行采用與上述流程相類似的處理，并采用留有圖案化電極的掩模版進(jìn)行光刻顯影與刻蝕加工，采用離子濺射法沉積一層厚度為200nm的Mo金屬薄膜，并去除多余光刻膠，即可得到完整的腦電測量電極結(jié)構(gòu)。

雙層壓力敏感薄膜與電極導(dǎo)通層組成壓力敏感結(jié)構(gòu)，用于采集顱內(nèi)壓信號；磁感線圈結(jié)構(gòu)由Fe/Zn圖案化，用于向體外上位機(jī)系統(tǒng)傳輸采集到的信號；微電極陣列具有6個(gè)測量位點(diǎn)，用于采集腦電信號。

第一絕緣層位于兩層壓力敏感薄膜、磁感線圈結(jié)構(gòu)、之間，第二絕緣層位于磁感線圈結(jié)構(gòu)、電極導(dǎo)通層之間，用于避免不同器件層之間發(fā)生短路，并具有連接通孔。

微電極陣列與壓力敏感結(jié)構(gòu)電路通過絕緣層上的連接通孔與磁感線圈結(jié)構(gòu)電路連接，用于將所測信號傳導(dǎo)至磁感線圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行信號傳輸。下封裝層上具有預(yù)留的通孔結(jié)構(gòu)，其與微電極陣列測量點(diǎn)位相配合，使點(diǎn)位暴露在器件外，從而與大腦皮層表面相接觸。