腦深部電刺激術(shù)（DBS）和神經(jīng)核團(tuán)毀損術(shù)是目前治療運(yùn)動(dòng)障礙性疾病的主要外科手術(shù)方法［1］。既往研究顯示，神經(jīng)核團(tuán)毀損術(shù)治療運(yùn)動(dòng)障礙性疾病有效，但隨著疾病進(jìn)展，部分患者可因癥狀復(fù)發(fā)甚至加重而需接受進(jìn)一步治療［2］。與神經(jīng)核團(tuán)毀損術(shù)相比，腦深部電刺激術(shù)具有手術(shù)損傷可逆、電極參數(shù)可調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)［1?2］，已逐漸成為神經(jīng)核團(tuán)毀損術(shù)后癥狀復(fù)發(fā)患者外科治療的替代性選擇。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)附屬第一醫(yī)院神經(jīng)外科共對(duì)9例蒼白球或丘腦毀損術(shù)后癥狀復(fù)發(fā)的帕金森病患者再次行腦深部電刺激術(shù)治療，療效滿意，結(jié)果報(bào)告如下。

腦深部電刺激術(shù)患者晨起口服多巴絲肼250~500 mg，坐位、局部麻醉下安裝Leksell頭部立體定位儀（瑞典Elekta公司），采用德國(guó)Siemens公司生產(chǎn)的3.0T MRI掃描儀進(jìn)行FLAIR成像掃描。然后根據(jù)MRI數(shù)據(jù)進(jìn)行傳統(tǒng)手工靶點(diǎn)計(jì)算，同時(shí)導(dǎo)入Leksell SurgiPlan手術(shù)計(jì)劃系統(tǒng)（瑞典Elekta公司），計(jì)算靶點(diǎn)、規(guī)劃穿刺路徑，以減少M(fèi)RI圖像偏倚和人工誤差，丘腦底核（STN）坐標(biāo)參照前連合?后連合（AC?PC）、雙側(cè)中腦紅核前緣切線與丘腦底核。保持顱骨骨孔位于術(shù)野最高點(diǎn)，以減少腦嵴液流失。于局部麻醉下雙側(cè)顱骨鉆孔，采用Leadpoint單通道微電極記錄丘腦底核放電情況。測(cè)試微電極阻抗，將其置于距丘腦底核預(yù)定靶點(diǎn)之上10 mm，通過(guò)微推進(jìn)器向靶點(diǎn)推進(jìn)，每推進(jìn)0.50 mm記錄一次，直至到達(dá)預(yù)定靶點(diǎn)；測(cè)試微電極電生理數(shù)據(jù)使其與丘腦底核電信號(hào)特征相符、記錄電極長(zhǎng)度位于核團(tuán)內(nèi)>4.50 mm，拔出微電極，植入腦深部電刺激電極［美國(guó)Medtronic公司3389s型（2例）、北京品馳醫(yī)療設(shè)備有限公司L301型（7例）］、連接臨時(shí)脈沖發(fā)生器測(cè)試阻抗及不良作用反應(yīng)閾值，確認(rèn)電極位置理想，予以固定。全身麻醉下于胸前皮下脂肪層植入脈沖發(fā)生器［美國(guó)Medtronic公司（2例）、北京品馳醫(yī)療設(shè)備有限公司（7例）］，避開(kāi)腦溝、腦室，沿腦回進(jìn)行，嚴(yán)格無(wú)菌操作，以減少術(shù)后出血、梗死及感染等并發(fā)癥。于腦深部電刺激脈沖發(fā)生器植入后4周開(kāi)機(jī)刺激，至少持續(xù)3個(gè)月，本組9例患者腦深部電刺激術(shù)所用儀器型號(hào)、靶點(diǎn)、坐標(biāo)、刺激參數(shù)等詳見(jiàn)表2。

表1 9例行腦深部電刺激術(shù)的帕金森病患者臨床資料

療效評(píng)價(jià)

分別于術(shù)前和術(shù)后3個(gè)月隨訪時(shí)對(duì)患者UPDRS和日常生活活動(dòng)能力（ADL）進(jìn)行評(píng)價(jià)。（1）UPDRS評(píng)分：用于評(píng)價(jià)患者運(yùn)動(dòng)癥狀和非運(yùn)動(dòng)癥狀，總評(píng)分共199分，分值越高、帕金森病癥狀越嚴(yán)重。（2）ADL評(píng)分：用于評(píng)價(jià)患者日常生活活動(dòng)能力，100分為生活能夠自理，60~99分為生活基本自理，<60分為生活需要協(xié)助或依賴他人，評(píng)分越高、生活自理能力越好。（3）手術(shù)安全性：主要觀察術(shù)中是否出現(xiàn)言語(yǔ)障礙、眼球活動(dòng)障礙、偏癱等，麻醉蘇醒后肢體活動(dòng)情況、有無(wú)顱內(nèi)出血、梗死或癲發(fā)作等，隨訪期間有無(wú)癥狀復(fù)發(fā)、感染或死亡病例。